传统BeO^-为引出束流的AMS方法虽然巧妙地运用了二次剥离膜技术降低了¹⁰B的干扰，但对于¹⁰Be束流的传输效率和品质也造成了损失，使得总效率大幅下降；并且所用BeO样品在制备中相对周期较长且存在一定的毒性。而利用Be的超级卤素负离子即BeF₃^-不仅引出束流相对BeO^-提高了约5倍，而且在离子源引出时就对B抑制了约5个量级，无需使用二次剥离膜技术即可分析¹⁰Be样品，其最终能谱图如图2）所示，此方法提高了总传输效率至少3倍（Fu et al., 2015 , Nucl. Instr. Meth. B），¹⁰Be可更为快速的获得同等精度数据。同时我室样品制备上将样品处理为BaBeF₄，而不在是传统的BeO样品，BaBeF₄不仅提供了F离子，避免了制备BeO成为气载尘埃的风险，相对BeO的步骤也更为省时和快速。可提供将来测量¹⁰Be的紧凑型AMS简化其高能端设计的可能性。本实验室这一原创性技术成果还授权了国家发明专利（付云翀，2016，发明专利）。但是，此方法还存在一定的离子源记忆效应的问题，这将是我们未来致力解决的技术难点。

图2 利用超级卤素负离子方法所获的¹⁰Be标准与本底样品在探测器ΔE和E_f 中能谱图